В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми. Теперь верфи при содействии канцлера перекупили два новых инвестора из Москвы, которые реально близки к Кремлю и которые тоже обещают заказы от «Газпрома».
Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах.
Кроме Samsung, новый стандарт памяти для мобильных устройств активно осваивает Micron. Пакет будет установлен во флагманских и средних смартфонах. Такое решение, по прогнозам экспертов компании, должно увеличить производительность гаджетов и продлить их время работы на одном заряде.
Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года.
Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт. На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение. Впрочем, Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 32-Гбит ёмкости в своей дорожной карте, хотя их официального анонса пока не было.
Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
| NAND-память | Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. |
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. |
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? | Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. |
| SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. |
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. |
Память нового поколения: какая она
Поделиться с друзьями Выходные данные Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций Роскомнадзор. Главный редактор: Чухутова Мария Николаевна. Проект агентства sorcmedia.
Поделиться Выпущен новый стандарт памяти для ноутбуков. Основан в 1958 г. Американская компания впервые встроила память этого типа в свои ноутбуки линейки Precision 7770 и 7670, увидевшие свет весной 2022 г. Серьезным минусом CAMM оставалась ранее упомянутая проприетарность технологии, накладывающая значительные ограничения на возможности модернизации устройств ее использующих.
На тот момент Dell оставалась единственной компанией, выпускавшей модули данного типа.
Южнокорейская компания также разработала различные программные технологии, такие как управление ошибками, преобразование интерфейсов и отображение памяти, чтобы центральные и графические процессоры могли использовать модули CXL RAM в качестве основной памяти. Представленный модуль памяти от Samsung уже был испытан на новейших серверных платформах, разработанных Intel. Подробные данные о параметрах нового модуля компания не озвучивает.
Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству. По отзывам пришедших с платформы клиентов, такие публикации помогают сразу исключить целый ряд ошибок при создании нового производства. Платформа IndustryHunter показала хороший потенциал по привлечению заказов и охвату целевой аудитории. Это поможет нам выйти на новые для нас рынки и получить новые контакты и заказы. Отрасли требовалась единая площадка для взаимодействия специалистов и компаний. И сейчас она появилась... Кроме того, для продвижения продукции обычно используются сайты компаний-производителей, а при таком подходе сложно привлечь большую аудиторию, и основной канал привлечения заказов - активные продажи.
Статьи на тему: Оперативная память
Новые серийные модули Netac и Jiahe Jinwei будут иметь объем 32 ГБ на модуль с таймингами 40-40-40 и номинальным напряжением 1. Мы также получили первые фотографии, где можно видеть цепи питания модуля DDR5. И сразу видно существенное отличие от памяти DDR4, которая получала ток от чипсета материнской платы.
Понимание таких нелинейных эффектов — это важный шаг в направлении создания фотонных интегральных схем», — поясняет Андрей Никитин. Проект находится в русле многолетних работ, проводимых на кафедре физической электроники и технологии по исследованию новых физических эффектов в твердом теле, имеющих большие перспективы для создания устройств хранения и обработки информации. В частности, в 2020 году ЛЭТИ получил мегагрант Правительства Российской Федерации на проведение разработок в области резервуарных вычислений на принципах магноники.
Проект агентства sorcmedia. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами.
При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV through-silicon via , характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке. Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями.
Статьи на тему: Оперативная память
Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года. Кроме того, DDR5 будет работать на более низких напряжениях и сможет использоваться в больших объемах по сравнению с DDR4. Новые серийные модули Netac и Jiahe Jinwei будут иметь объем 32 ГБ на модуль с таймингами 40-40-40 и номинальным напряжением 1. Мы также получили первые фотографии, где можно видеть цепи питания модуля DDR5.
Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте. Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте. При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте. Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах.
Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация. Результаты экспериментов, изложенные в статье в научном журнале Optics Communications, показали, что система может находиться в таком состоянии до следующего информационного сигнала.
Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой. Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Область применения: в подземных выработках и на поверхности угольных и горнорудных предприятий. Аппарат защиты конструктивно выполнен в отдельной взрывонепроницаемой оболочке и может воздействовать на независимый расцепитель автоматического выключателя. ПЗУ для ГФ-05 комплект 12шт. Основная на ЭКГ. ЧСС 3. SТ1 SТ2 4.
М10 8.
Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск. Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж.
Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения. Помимо этого, в модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех. В совокупности это должно повысить потенциал разгона.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
— Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
| Модуль памяти из перовскита работает одновременно как RRAM и LEM | Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. |
| Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу | Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. |
| Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт | Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. |
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.