Новости модуль памяти

Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств.

Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ

Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств.

Разработан новый формат модулей памяти DDR4

Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки.

По тегу: модуль памяти

  • Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
  • Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
  • Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит |
  • Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия

Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5

Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8. Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.

Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти. Также неизвестно, будут ли оснащаться новой памятью новые видеокарты Radeon, но есть надежда, что GDDR7 будет использоваться в новой PS5 Pro, так как в этой консоли нам обещают значительный прирост производительности в плане графики.

Как рассказали представители компании Samsung в недавно вышедшем официальном пресс-релизе, это самая современная память с максимально высокой плотностью хранения. Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5.

Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом.

Представлен первый модуль с шиной данных 32 бит и общей емкостью хранимой информации 8 Гб. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.

Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ

Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов. Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах.

S, соответствуют требованиям спецификации CXL 2.

Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году.

Источник — Astera. Поделиться с друзьями Выходные данные Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций Роскомнадзор.

Главный редактор: Чухутова Мария Николаевна.

Сейчас эти чипы стоят практически во всех флагманах. Кроме Samsung, новый стандарт памяти для мобильных устройств активно осваивает Micron. Пакет будет установлен во флагманских и средних смартфонах. Такое решение, по прогнозам экспертов компании, должно увеличить производительность гаджетов и продлить их время работы на одном заряде.

Вам также понравятся

  • В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
  • IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
  • Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
  • CAMM2 становится стандартом

"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...

Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800.

Похожие новости:

Оцените статью
Добавить комментарий