Геннадий Красников, академик-секретарь отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, получил за свою кандидатуру 871 голос. Главная» Новости» Президент РАН Г.Я. Красников посетил ИНЦХТ в рамках своего рабочего визита. Действующий глава Российской академии наук 67-летний физик Александр Сергеев за день до выборов главы РАН неожиданно решил снять свою кандидатуру.
Источник: главой РАН избрали Геннадия Красникова
Так в каком направлении будет развиваться отечественная наука и что в ближайших планах у нового главы РАН Геннадия Красникова? Президент Российской академии наук Г.Я. Красников в своем выступлении отметил, что, несмотря на то, что МИФИ был создан во время Сталинградской битвы. Биография советского и российского ученого Геннадия Красникова: карьера, назначение генеральным директором АО «НИИМЭ». Об этом РИА "Новости" рассказал глава Российской академии наук (РАН) Геннадий Красников. Теги: Российская академия наук (РАН), Россия.
"Вернуть авторитет": новый президент Академии Наук собирается на реформы
Геннадий Красников отметил активное участие Тамбовской области в применении на практике достижений отечественной науки в области сельского хозяйства. 25 апреля Тамбов посетил президент РАН Г.Я. Красников. Наука - 20 сентября 2022 - Новости Москвы - Красников входил в совет директоров “Энергогаранта” до 2017 года, после чего его сменил на посту его свояк Сергей Никифоров, сведения об этом расположены в открытом доступе.
Руководство РАН в результате выборов кардинально обновилось - и в центре, и на местах
По словам Красникова, активная кооперация университетов с институтами РАН позволит обеспечить исследовательское лидерство Российской Федерации. Так, почти половина генеральных конструкторов и технологов военно-промышленного комплекса — члены академии наук, передает РИА Новости. Геннадий Красников рассчитывает поднять авторитет Российской академии наук, усилить ее влияние на формирование. Так в каком направлении будет развиваться отечественная наука и что в ближайших планах у нового главы РАН Геннадия Красникова? Геннадий Красников отметил активное участие Тамбовской области в применении на практике достижений отечественной науки в области сельского хозяйства. Президент РАН Геннадий Красников: «Наша страна будет в надёжных руках, если мы правильно подготовим поколение».
В Тамбов с рабочим визитом прибыл президент РАН Геннадий Красников
Новым президентом Российской академии наук стал гендиректор НИИ молекулярной электроники Геннадий Красников, считавшийся провластным кандидатом, сообщает. Геннадий Красников, ран, академия наук, президент ран На фото новый Президент РАН Геннадий Красников. Геннадий Красников рассчитывает поднять авторитет Российской академии наук, усилить ее влияние на формирование.
На выборах президента РАН возможны фальсификации результатов голосования
Действующий глава Российской академии наук 67-летний физик Александр Сергеев за день до выборов главы РАН неожиданно решил снять свою кандидатуру. Российский президент Владимир Путин подписал указ, согласно которому президент РАН Геннадий Красников стал членом Совета безопасности России. Геннадий Красников, академик-секретарь отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, получил за свою кандидатуру 871 голос. Избранный новый глава Российской академии наук Геннадий Красников (справа) на общем собрании РАН в Москве. Фото: РИА Новости/Алексей Майшев. Встречаясь с академиками во Владивостоке, Красников заявил, что уровень президента РАН – это уровень премьер-министра, спикера Совфеда и Госдумы.
Новым президентом РАН стал Геннадий Красников
Им впервые, с позиции единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, дана классификация различных дефектов, образующихся в этой системе в процессе ее формирования, выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела гетерогенных областей систем кремний — диоксид кремния — металл, рассмотрены электрические свойства этих структур, и предложены методы их стабилизации на заданном уровне. Результаты исследований определили принципы и методологию физико-технологического обеспечения качества сверхбольших интегральных схем. Создал научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, что привело к существенному совершенствованию микроэлектронных технологий. Его значительным научным вкладом является обоснование конструктивно-технологических особенностей транзисторных структур при переходе в субмикронные размеры элементов. Им впервые установлены требования к подзатворным диэлектрикам, определяющим электрофизические параметры и качество МОП-транзисторов, технологии их создания, предложены различные конструкции их сток-истоковых областей с учётом постоянного уменьшения размеров транзисторов и их элементов, обоснованы ограничения применения методов масштабирования транзисторов. Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счет увеличения тактовой частоты в 5—8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2—3 раза.
Внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем.
На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации.
Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. За счет увеличения тактовой частоты в 5—8 раз повышается точность первичной обработки информации, при этом время обработки сигналов уменьшается в 2—3 раза. Внес существенный вклад в исследования радиационно-стойкой электронной компонентной базы для бортовой радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. Комплексно решена проблема создания и внедрения в бортовую радиоэлектронную аппаратуру нового поколения ракетно-космической техники наиболее критичных по стойкости к радиационному воздействию больших интегральных схем. При этом охвачены научно-технические особенности разработки, технологии, производства, испытаний и эксплуатации. Существенное повышение радиационной стойкости интегральных схем достигнуто применением специальных технологий «кремний-на-изоляторе» и методов проектирования с использованием технологий «объемного кремния». По ключевым факторам уровень радиационной стойкости превышает мировой уровень микросхем данного класса. В результате решена важнейшая для национальной безопасности задача создания современной бортовой аппаратуры ракетно-космического назначения, обеспечена технологическая независимость РФ и внесен серьезный вклад в достижение требуемых характеристик современных стратегических ракетных комплексов и нового поколения космических аппаратов. Для формирования научной и технологической базы нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, им созданы тонкие пленки метаматериалов с управляемыми свойствами, фотонные и плазмонные элементы, интегрированные в приборный кристалл; изучаются эффекты поведения и стойкости сверхмалых объемов кристаллических материалов к различным видам радиационных воздействий на границе потери ими зонной структуры, когда из-за близости отражающих границ раздела подавлено образование дальних пар Френкеля.
Работа по этому направлению, по словам академика Г. Красникова, была восстановлена после долгого перерыва, и теперь РАН активно принимает участие в выполнении шестой подпрограммы в интересах обороны и безопасности России. Для нас это принципиальный момент, так как мы видим, что существует востребованность научного труда в нашем обществе», — подчеркнул президент РАН. Красников рассказал о вовлеченности РАН в решение таких вопросов, как проблема резистентности к антибиотикам, стратегия международных научных отношений, реализация российской космической программы и даже возвращение издательства «Наука» под крыло Российской академии наук. В емкой и лаконичной форме создатели выставки изложили главные научные достижения, связанные с Академией наук, перемены в ее структуре и то, как на нее влиял исторический контекст.
Под руководством Г.Я. Красникова прошло совместное заседание научных советов РАН
Они должны весить мало, при этом защищая от пуль и осколков. Эту проблему учёные решили, использовав последние достижения в области науки о материалах, которые сочетают в себе минимальный вес и максимальные показатели по бронезащите.
Но предприятие не смогло перейти на необходимый для этого технический процесс — 65 нм и достигнуть приемлемого качества, - заявил ТАСС специалист по чип-дизайну Алексей Петров. В тех же серийных айфонах последних моделей процессоры изготовлены по техпроцессу 5 нм. А летом Красников встречал на «Микроне» зампреда правительства РФ — министра промышленности и торговли Дениса Мантурова, продемонстрировав исследовательские и производственные мощности предприятий и выпускаемую высокотехнологичную микроэлектронную продукцию. Вскоре после этого «Микрону» выделили 7 млрд рублей на масштабирование производства. Насколько я знаю, ряд компаний запрашивает субсидии на увеличение зарплат сотрудников, обслуживающих производственное оборудование, - отметила глава АНО «Консорциум Светотехника» Ольга Грекова.
До этого всех трех кандидатов в президенты Академии утвердило правительство. Голосование за президента РАН прошло утром 20 сентября. Президент Академии избирается на пять лет. После избрания его утверждает в должности и освобождает от должности президент России.
Об этом в пятницу, 21 июля, глава 73-го региона сообщил в своем Телеграм-канале. Планируется, что одним из направлений сотрудничества станет экспертиза со стороны РАН ключевых направлений технологической специализации региона. Речь идет, в частности, об авиастроении, беспилотных технологиях, радиоэлектронике.
Академические должности
- Российская академия наук получила нового президента | Пикабу
- В Тамбов с рабочим визитом прибыл президент РАН Геннадий Красников
- Разместите свой сайт в Timeweb
- Фотографии
Содержание
- «Революционные изменения»: глава РАН дал прогноз по развитию науки и нейросетей // Новости НТВ
- Президентом РАН стал глава НИИ молекулярной электроники и председатель совета директоров «Микрона»
- Фотографии
- Читайте также в рубрике «Образовательная политика»
- Глава РАН заявил, что академия не допускает утечки научной информации - Парламентская газета