Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1.
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Он предлагает высокоскоростной обмен данными между хост-процессором и различными другими частями, где среди прочих ускорители, а также буферы для памяти и различные интеллектуальные устройства ввода-вывода.
Samsung сегодня работает с различными брендами чипсетов и центров, задействованных в обработке большого количества информации, а также сотрудничает в направлении создания серверов по новому стандарту CXL. Южнокорейская компания также разработала различные программные технологии, такие как управление ошибками, преобразование интерфейсов и отображение памяти, чтобы центральные и графические процессоры могли использовать модули CXL RAM в качестве основной памяти.
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
NAND-память
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8. Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.
Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания. В остальном новый Lenovo P1 выглядит довольно мощным устройством, компания заявила, что он "готов к искусственному интеллекту", поскольку ноутбук оснащен процессором Intel Core Ultra и графикой Nvidia Ada Lovelace. Здесь важно отметить, что компания Intel представила линейку Meteor Lake без результатов тестов этой конкретной модели процессора. По данным TechSpot, начальная цена составит 2619 долларов, а продажи стартуют в следующем месяце.
Вполне естественно, память DDR5 будет дороже своей предшественницы DDR4, но в 2022 году должно произойти первое снижение цен. Первой потребительской платформой с поддержкой DDR5 должны стать настольные процессоры Intel Alder Lake вместе с материнскими платами на базе 600-й серии чипсетов, которые должны выйти к концу 2021 года. У AMD первые процессоры с поддержкой DDR5 выйдут только в начале 2022 года - ожидается, что это будут новые чипы на базе архитектуры Zen 4.
Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости. Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт. Вся эта работа займёт огромное количество времени.
При этом она является намного более компактной, что крайне важно для ноутбука, и при этом может быть легко заменена пользователем. Модули CAMM обычно крепятся к материнской плате болтами, а не используют пружинный механизм удержания. В остальном новый Lenovo P1 выглядит довольно мощным устройством, компания заявила, что он "готов к искусственному интеллекту", поскольку ноутбук оснащен процессором Intel Core Ultra и графикой Nvidia Ada Lovelace. Здесь важно отметить, что компания Intel представила линейку Meteor Lake без результатов тестов этой конкретной модели процессора.
Новая технология позволит увеличить плотность записи и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения. Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется предположительно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах.
Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8. Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ.
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022.
Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ.
Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Учитывая постоянно растущие аппетиты программного обеспечения и игр к ОЗУ, это должно стать основным преимуществом нового поколения «оперативки». Однако такое улучшение имеет и некоторый негативный эффект — усложнение организации чипов, похоже, привело к едва заметно увеличенным внутренним задержкам. То есть даже при одинаковых базовых таймингах, по сравнению с классическими бинарными модулями, использование небинарных обычно приводит к небольшой потере производительности. Возможно, когда понадобится больше временного пространства, тогда уже будет заметен обратный эффект.
К тому же, использование двухранговых модулей небинарной памяти в общем несколько уменьшает потерю производительности, а суммарно подобных комплектов хватит с запасом на годы вперед. Так что если вы собираете ПК под тяжелые задачи, или просто не привыкли закрывать лишние приложения, включая браузер на полсотни вкладок, то обратите внимание на новую небинарную оперативную память. У нас с их эксплуатацией не возникло никаких проблем уже сейчас. А если планируется чисто игровой компьютер и другие яркие комплектующие как новогодняя елка, то рекомендуем рассмотреть RGB-версию этой ОЗУ.
Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб. Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения. Похожие новости из раздела:.
На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение. Впрочем, Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 32-Гбит ёмкости в своей дорожной карте, хотя их официального анонса пока не было. За свою историю Samsung расширила границы оперативной памяти в 500 тыс. Свою первую 64-Кбит память компания представила в 1983 году.
Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ Они продаются комплектами по два модуля в каждом Corsair стала одной из первых компаний, запустившей продажи модулей оперативной памяти DDR5-5600 объемом 24 и 48 ГБ. Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом.
Газета «Суть времени»
- Комментарии
- Про первую DDR5 для ПК
- Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
- Устройства и решения для хранения данных
- IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
- Информация
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2. Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др.
Как и оптические модуляторы, наша квантовая память — это переключатели, которые либо пропускают, либо отражают свет в зависимости от того, «включены» они или «выключены». В отличие от обычных модуляторов, наши включаются и выключаются одним электроном, а не большими электрическими сигналами, и могут находиться в квантовой суперпозиции включения и выключения. Дэвид Левонян, соавтор исследования в интервью Phys. Электрические управляющие импульсы «MW» и «RF» могут переключать магнитные спины ядер и электронов вверх и вниз. B и C Изображение устройства под электронным микроскопом. Изображение: Stas et al.
Эта чувствительность уменьшает время их когерентности сохранения квантового состояния.
Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется».
Это огромное увеличение по сравнению с памятью DDR4, которая в большинстве случаев предлагается с максимальной емкостью 32 и 64 ГБ с ограниченным предложением модулей 128 или 256 ГБ на рынок серверов. В то же время новые модули будут иметь более низкое напряжение 1,1 В, что в сочетании с регулировкой напряжения на модуле повысит энергоэффективность.