Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки.
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря. Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря. Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября. Анкара заявила, что российский самолет якобы вошел в ее воздушное пространство.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV through-silicon via , характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке. Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4.
Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями.
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти. Также неизвестно, будут ли оснащаться новой памятью новые видеокарты Radeon, но есть надежда, что GDDR7 будет использоваться в новой PS5 Pro, так как в этой консоли нам обещают значительный прирост производительности в плане графики.
Про первую DDR5 для ПК
- Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM — i2HARD
- Telegram: Contact @F_S_C_P
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
Информация
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4 -
- Разработан новый формат модулей памяти DDR4 -
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости
Разработка и производство микроэлектроники
- Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- Обсуждение (2)
- Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
- Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
- Свежие материалы
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. |
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера. Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung.
Эти модули совместимы со стандартными планками DDR4. Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется.
В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера. Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
| Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт | Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб. |
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. |
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году.