GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
Модуль содержит энергонезависимую память типа 3D NAND, которая может хранить данные даже без подключения к источнику питания. Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров. Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами. Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения.
Технология Hyper Cache позволяет использовать до 60 Гб от общего объема накопителя. Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск.
Ответом на эту разработку, которая затянулась на неопределенное количество времени, компания ASUS представила свой новый форм-фактор для оперативной памяти. По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
| Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo | Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. |
| Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел | Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. |
| Память нового поколения: какая она | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
| RU190135U1 - МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ - Яндекс.Патенты | Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
NAND-память
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). |
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023—2024 годов.
Работая на тактовой частоте до 8 000 мегатранзакций в секунду, модуль устанавливает новый порог производительности памяти в центрах обработки данных. Технология DRAM объемом 32 Гб, позволяющая увеличить емкость до 256 гигабайт и выше, призвана удовлетворить растущие потребности приложений искусственного интеллекта и in-memory. В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей.
Сборки, укомплектованные памятью DDR5, успешно справились с загрузкой операционной системы. Память DDR5 предлагает значительно более высокие частоты — до 4800 МГц — без какого-либо оверклокинга. Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года. Кроме того, DDR5 будет работать на более низких напряжениях и сможет использоваться в больших объемах по сравнению с DDR4.
Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип. То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты. При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения. Про планы и перспективы Как сообщает CNews, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 будет реализована в новых серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids. Их выпуск планируется в 2021 году.
Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом. Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
— Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб.
Статьи на тему: Оперативная память
Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ. Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ. Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости.
Поэтому и по совместимости с уже существующими платформами проблем не должно возникнуть, возможно только BIOS придется обновить. В ассортименте компании Kingston небинарная оперативная память представлена отдельными модулями на 24 и 48 ГБ, а также комплектами до 96 ГБ, как с RGB подсветкой, так и без нее. При этом менее емкие планки и комплекты работают на эффективных частотах от 6000 до 7200 мегатранзакций в секунду и имеют одноранговую организацию. Производительность «старших» уже двухранговых модулей ограничена на уровне 6400 мегатранзакций. Именно на примере комплектов с такой частотой мы и будем производить практические испытания новинки. За улучшение температурного режима отвечает довольно габаритный черно-серебристый алюминиевый радиатор, который точно не лишний, потому что под высокой нагрузкой любое ОЗУ формата DDR5 заметно нагревается. Но наличие охлаждения не сильно увеличивает высоту планок, только до 39,2 мм, что позволит использовать их с большим количеством систем охлаждения. Технически это одноранговые модули, то есть физически чипы есть только с одной стороны печатной платы и логика обращения к ним такая же.
Автоматически в системе они идентифицируются как DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 при стандартном напряжении питания 1,1 В. Благодаря поддержке расширенных профилей Intel XMP 3. Но под радиатором скрываются двухранговые платы, что говорит о расположении чипов с обеих сторон, а логика работы с ними напоминает виртуальный двухканальный режим. Вот и посмотрим, как это повлияет на производительность. Тем более другие основные характеристики у комплекта такие же, как по количеству «вшитых» рабочих профилей, так и по их частотам, основным задержкам и напряжению питания. Он такой же одноранговый, как и младший небинарный, имеет идентичные XMP-профили, поэтому это идеальный оппонент среди имеющихся у нас. Но сначала несколько слов о тестовой системе. Напомним из каких компонентов она состоит.
Ее обзор ищите на нашем сайте. Он имеет суммарно 20 ядер, среди которых 8 производительных умеют у Hyper-Threading и работают на частоте до 5,6 ГГц. Он гарантированно поддерживает только DDR5-5600, однако производители материнских плат обещают работу с DDR5-7800 и даже быстрее. UA , где всегда есть широкий ассортимент процессоров и других комплектующих по приятным ценам.
Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб, компания теперь объявила о своих планах по серийному выпуску микросхем DDR5 емкостью 32 Гб и модулей памяти большой емкости в первой половине 2024 года. Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует.
Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др. Внедрение CXL в серверных системах приобретает особо важное значение в случае выполнения гетерогенных вычислений, когда несколько процессоров задействованы параллельно для обработки огромных объемов данных.
Вероятно, такая разница в габаритах объясняется незаконченными спецификациями JEDEC, из-за чего компании создают прототипы, а не готовые к работе модули. Модуль со стандартом CXL 1. S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения системной памяти в дата-центрах.
Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов.
Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1.