Пока же только наземные наблюдения во время затмений позволяют разом изучать структуру короны от края диска до нескольких радиусов Солнца в диапазоне длин волн от 300 нм до нескольких микрометров. Микрометр Микрометр (также называемый микроном) в 1000 раз меньше тр Нанометр в 1000 раз меньше микрометра. 1 микрометр (μm) = 1000 нанометров. В публикации представлены основные единицы измерения длины в метрической системе, а также, самые популярные величины, используемые в других системах и областях науки. Перевод нм в мкм. нм. мкм. Поменять местами.
Микрометры (мкм) - что это за единицы измерения?
для того что бы перевести единице 1 микрометр (микрон) соответствует = 1000 нанометров. 100 нанометров = 0.0000001 миллиметра. 1 нанометр = 0.000000001 метра Нанометр (от лат. nanos — карлик и др.-греч. μέτρον —мера, измеритель; русское обозначение: нм; международное: nm) — дольная единица измерения длины в. Микроны в Микрометры таблица. Микроны в Микрометры. Начало. Приращения. МИКРОН это МИКРОметр, измерение толщины в микронах.
Перевести микрометры в нанометры
Микрометр является стандартной единицей измерения, в которых выражается допуск отклонений от заданного размера по ГОСТу в машиностроительном и другом производстве, в т. Одним из важнейших показателей, определяющих пригодность полимерной пленки к использованию по назначению, является ее толщина, от которой зависят многие другие эксплуатационные свойства пленки.
Микрон и нанометр соотношение. Что меньше 1 микрон или 5 микрон. Что меньше 5 или 10 микрон. Что больше 1 микрон или 5 микрон. Сравнение 50 микрон. Перевести микроны в мм.
Толщина 1 микрон. Нанометр в мм. Сколько нанометров в мм. Мкм НМ таблица. Дольные и кратные приставки таблица. Дольные и кратные единицы измерения физических величин. Размер микрона единица измерения.
Таблица величин нанометр миллиметр. Толщина волоса равна 0. Толщина микрон в мм. Сколько мкм в мм. Как перевести миллиметры в микрометры. Видимый диапазон электромагнитного спектра в мкм. Оптический видимый диапазон шкалы электромагнитных волн.
Оптический видимый диапазон шкалы электромагнитных волн составляет. Видимый диапазон длин волн мкм. Нанометр примеры. НМ единица измерения. НМ единица измерения в мм. Перевести микроны в микрометры. Микроны в миллиметры.
Десятка сотка микрон. Мм в нанометры. Размер в нанометрах. Нанометр сравнение размеров. Размер молекулы в нанометрах. Микрон в нанометры. Единицы измерения длины нанометр.
Микрометр обозначение на английском. Микрон обозначение. Единицы сокращения в физике. Размер нанометра. Единицы измерения длины ниже мм. Единицы измерения длины меньше мм. Единица измерения меньше миллиметра.
Таблица единиц измерения сантиметр метр миллиметр. Единицы измерения. Единицы измерения линейных размеров. Микрон размер. Ангстрем единица измерения. Ансгетм единица измерения.
Но Intel продолжает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию и для 14 нм — со все еще двойным формированием. А для 10 нм которые Intel уже шесть лет пытается довести до ума — экспозиций и масок уже от трех до пяти не считая скругления вставок. Ведь цифры теперь мало что значат… Как сказал Паоло Гарджини Paolo Gargini — ветеран Intel и пожизненный член IEEE : число нанометров промышленной технормы «к этому времени уже не имеет совершенно никакого значения, так как не обозначает размер чего-либо, что можно найти на кристалле и что относится к вашей работе».
Скажем, в новейших техпроцессах «7 нм» Samsung и TSMC на кристалле нет ничего, что было бы настолько малым. Например, длина затворов там — 15 нм. Другая проблема, возникающая в этой связи — стоимость каждого транзистора. Все предыдущие 60 лет развития микроэлектроники основывались на уверенности в том, что даже несмотря на постоянное увеличение цены заводов и разработки техпроцессов и чипов цена самих чипов в пересчете на транзистор будет все время уменьшаться. Так и происходило — примерно до 32 нм, после которых наступил раскол: микросхемы памяти продолжили дешеветь на единицу объема особенно это коснулось флэш-памяти, которая массово перешла на объемное хранение данных на десятках уровней — технология 3D-NAND , а вот логика сильно затормозилась. Да, последние версии техпроцессов 14 нм предлагают транзисторы все же чуть дешевле, чем у 22 нм — но именно что «чуть», и это после стольких лет возни. Да и производительность при том же потреблении энергии хоть и растет, но всё медленнее… Простейшим решением была бы перепривязка технормы к размеру не затвора, а чего-то другого, более представительного для современного транзистора. Одним числом тут не обойдешься, поэтому предложено использовать две меры длины: CPP, contacted poly gate pitch — шаг поликремниевого затвора с контактом то есть между затворами соседних транзисторов ; и MMP, metal-to-metal pitch — шаг первого уровня металлических дорожек, проходящих перпендикулярно поликремниевым линиям, нарезаемым на затворы. Причем теперь нет смысла делить оба шага на два, так как эта половина теперь менее важна.
Эта пара значений на некоторое время стала «наименьшим общим знаменателем» в описании логического техпроцесса, а их произведение дает неплохую оценку возможной площади транзистора. Любой фактический транзистор на кристалле будет немного или много больше, но никак не меньше этого минимума, и к этому идеалу вполне можно приблизиться при тщательном проектировании и следовании правилам техпроцесса. Ситуация второй половины 2010-х годов получилась весьма похожей на то, что переживали в кризис производители продуктов питания: чтобы не увеличивать цены на привычные товары, их просто стали недоливать и недосыпать. Нет-нет, в каждом килобайте кэша все еще ровно 1024 байта, а не 970 как написано число миллилитров на некоторых «литровых» бутылках молока. Но чиподелы просто окончательно отвязали свои рекламируемые нанометры от физических размеров чего-либо в изготавливаемых микросхемах. А Intel пошла еще дальше и вспомнила принцип «не можешь отменить — возглавь»: в 2017 г. Однако после техпроцесса 22 нм «другие компании» по мнению Intel отказались от этого, продолжив уменьшать число нанометров у технормы, но при минимальном, а то и совсем отсутствующем повышении плотности. По мнению Бора, это связано с ростом сложности дальнейшего уменьшения размеров. В результате декларируемые значения не дают представления о реальных возможностях техпроцесса и его положении на графике, который должен демонстрировать сохранение применимости закона Мура.
Вместо этого Intel предложила определять возможности техпроцесса по новой формуле, в которую входят площади типовых блоков — простейшего вентиля 2-NAND двухвходовый логический элемент «и-не» и более сложного синхронного триггера — и число транзисторов в них; их отношения умножены на «правильные» коэффициенты, отражающие относительную распространенность простых 0,6 и сложных 0,4 элементов. Сразу можно заподозрить, что все цифры подобраны для еще более наглядной демонстрации лидерства Intel в сравнении с «другими производителями». Но чуть позже всё стало выглядеть так, будто компания движется вспять, очередной оптимизацией техпроцесса добиваясь худшей плотности: исходный 14-нанометровый процесс вышедший аж в 2014 г.
Префикс нано стал очень популярным в последнее время благодаря росту миниатюризации и технологий, связанных с чрезвычайно маленькими объектами, такими как электронные компоненты. Эти очень маленькие технологии позволили за короткое время, среди прочего, создать электронные устройства с большими вычислительными возможностями в портативном размере.
Кроме того, это снизило затраты, сделав их доступными для гораздо большего числа людей. Медицинская наука также выиграла от этой миниатюризации. Вот почему было необходимо создать соответствующие единицы измерения для выражения очень малых размеров, в том числе нанометра. Эквивалентности Ниже приведены эквиваленты нанометра и других единиц измерения, часто используемых в науке и технике, и дают хорошее представление о том, насколько мала эта единица измерения: Нанометр в метр Метр - это единица измерения длины в Международной системе единиц СИ. Нанометр в см Сантиметр - это часть метра, который широко используется для измерения предметов повседневного обихода.
Это означает, что в 1 мм содержится 1 миллион нанометров.
Микрометры в нанометры перевод
Что меньше микрометр или миллиметр? Сколько атомов в 1 нм? Диаметр обычного атома составляет около 0,1 нм, или 1А. Как перевести метры в мкм? Что такое 5 мкм?
Притом объявление это прозвучало почти на месяц позже, чем Samsung Electronics заявила о начале серийного выпуска чипов по 3-нм технологическим нормам. Художественное изображение транзистора из углеродной нанотрубки с 2-нм каналом источник: WPI-MANA Спрашивается, в чём же суть новаторства некой инженерной лаборатории, если примерно того же класса миниатюрности техпроцесс вроде бы уже реализован на крупном предприятии?
Правда, достигнут этот уровень миниатюризации фактически вручную, с применением так называемых металлических углеродных нанотрубок и просвечивающего электронного микроскопа ПЭМ. Металлическими эти решётчатые структуры из атомов углерода называются потому, что проводят электрический ток при низких температурах, как и обычные металлы. Полупроводниковые же углеродные нанотрубки, напротив, при охлаждении теряют проводящие свойства. Как именно будет вести себя нанотрубка, определяет геометрия её стенок: пока это прямой ровный цилиндр, структура из атомов углерода ведёт себя как металл в смысле электропроводности , а если трубку изогнуть, скрутить или сжать — уже как полупроводник. При этом высокоэнергетичный пучок, разумеется, может непосредственно воздействовать на облучаемые структуры: в частности, деформировать стенки нанотрубок — имеющие, напомним, толщину ровно в один атом углерода. В результате часть исходно металлической нанотрубки под воздействием ПЭМ становится полупроводниковой.
Дальнейшее — дело техники: чтобы получить полевой транзистор , необходим полупроводник, включённый в электрическую цепь, и управляющий состоянием этого транзистора затвор. Как раз подвергнутый воздействию электронного пучка фрагмент металлической углеродной нанотрубки и становится полупроводниковым каналом — это его характерная длина, 2,8 нм, указана в сообщении WPI-MANA как физический размер полученного транзистора. Поскольку в типичном современном процессоре число транзисторов может достигать 50 миллиардов например, столько их в выпущенном в 2021 г. Да, процедуру можно автоматизировать, доверив командование микроскопом некой машине с числовым программным управлением, но принципиально скорости это не прибавит. И что в этом случае означает обозначение производственной нормы «22 нм» или «7 нм» — по последней, кстати, и был изготовлен упомянутый процессор Tesla D1 — по-прежнему остаётся вопросом. Главный по соотношению цены, доступности и рабочих характеристик полупроводниковый элемент в ИТ-отрасли сегодня — кремний, вот почему основой для фотолитографии становится кремниевая пластина.
Основные этапы контактной полупроводниковой фотолитографии: подготовка подложки film на кремниевом субстрате, нанесение фоторезиста, экспонирование ультрафиолетом непосредственно через маску, проявление, травление etching и удаление stripping резиста источник: OpenStax На её поверхность наносят слой светочувствительного материала фоторезист , затем этот слой экспонируют световым потоком, проходящим через маску фотошаблон — прорисовку структуры будущей электронной схемы. Сегодняшние маски значительно крупнее в масштабе , чем итоговые кремниевые полупроводниковые структуры, — поэтому засветка производится через систему уменьшающих линз. Громоздкая, сложная и дорогостоящая система линз в современных литографических машинах успешно борется с обратной засветкой и дифракцией и — благодаря неимоверным техническим ухищрениям — позволяет достигать физического разрешения не в половину, а примерно в четверть длины волны используемого излучения. Засвеченные участки покрытия меняют свои физические свойства, и их смывают особыми химикатами. Таким образом формируется первый слой будущей сверхбольшой интегральной схемы СБИС. Маска здесь располагается ниже зеркала, меняющего направление светового потока на горизонтальное, а экспонируемая кремниевая пластина размещена внизу источник: ASML Одной экспозицией дело не ограничивается: чтобы сформировать даже отдельный полевой транзистор, необходим слой диэлектрической подложки, слой с управляющим затвором, собственно полупроводниковый канал, металлические межсоединения… Для каждого слоя — свой цикл нанесения фоторезиста, засветки и смывки; ну и свой фотошаблон, а то и не один.
И это только для классических, одноуровневых микросхем, тогда как существенно многослойные СБИС вроде актуальных чипов флеш-памяти 3D NAND могут содержать под 200, а то и больше уровней полнофункциональных транзисторных ячеек. Межсоединения транзисторов через эти слои образуют функциональные элементы например, схему «И-НЕ» , а из тех, в свою очередь, формируются более крупные структуры например, арифметический сумматор. Ещё два металлических слоя, ТМ0 и ТМ1 последний на фото не показан обеспечивают выход на процессорные контакты и коммуникации ЦП с системной логикой источник: Intel Здесь стоит на время отвлечься от поиска физического смысла в маркетинговых обозначениях нанометров для технологических процессов и задаться не менее важным вопросом: почему на протяжении десятков лет чипмейкеры вкладывают десятки и сотни миллиардов долларов в непрерывную миниатюризацию технологических норм? Ведь сам по себе переход от одного техпроцесса к другому вовсе не гарантирует немедленного прироста абсолютной производительности ЦП.
Срочно , дам 20 баллов? Самаг 28 апр. Ca3ah 28 апр. Йарлдафилдж 28 апр. Ira17357132 28 апр. Mooncrown 28 апр.
Для лучшего представления этой единицы длины можно привести следующие примеры: длины волн видимого человеком света лежат в диапазоне от 0,38 фиолетовый цвет до 0,78 мкм красный [4] ; диаметр эритроцита составляет 7 мкм [5] ; толщина человеческого волоса — от 40 до 120 мкм [6].
Сколько нанометров в микрометре
Используя этот инструмент можно конвертировать микрометры в нанометры онлайн. Но в «Микроне» уверяют, что цех 90 нм продолжает работать. Длина и расстояние. микрометры. Перевод микрометров (мкм) в нанометры (nm). Произведите быстрое преобразование: 1 микрометр = 1000 нанометров, используя онлайн-калькулятор для преобразования показателей. 10.6 Микрометров в нанометры.
Что такое Um в измерении?
Зная, что 1 миллиметр в 1000 раз меньше метра, получаем, что нанометр в миллиметрах запишется как 1 нм = 10-6 мм. На этой странице представлен самый простой онлайн переводчик единиц измерения микрометры в нанометры. Преобразование длины из микрометр в нанометр в ваш телефон, планшет или компьютер. Преобразовать микрометр в нанометр (мкм в нм): С помощью этого калькулятора можно ввести значение для конвертации вместе с исходной единицей измерения, например, ‘481 микрометр’. нанометр (нм) - ангстрем (А) - пикометр (пк) - икс-единица -фемтометр или ферми (фм).
Что меньше пикометра?
Считается, что самый маленький атом — это атом гелия, его радиус 32 пм 0,032 нм , а самый большой — цезия 225 пм 0,255 нм. В целом, нанообъектом будет считаться такой объект, размер которого хотя бы в одном измерении находится в нанодиапазоне 1—100 нм. Можно ли увидеть наномир? Конечно, все, о чем говорится, хочется увидеть своими глазами. Ну хотя бы в окуляр оптического микроскопа. Можно ли заглянуть в наномир? Обычным способом, как мы наблюдаем, например, микробов, нельзя. Потому что свет с некоторой долей условности можно назвать нановолнами. Длина волны фиолетового цвета, с которого начинается видимый диапазон, — 380—440 нм. Длина волны красного цвета — 620—740 нм. Длины волн видимого излучения составляют сотни нанометров.
При этом разрешение обычных оптических микроскопов ограничивается дифракционным пределом Аббе примерно на уровне половины длины волны. Большинство интересующих нас объектов еще меньше. Поэтому первым шагом на пути проникновения в наномир стало изобретение просвечивающего электронного микроскопа. Причем первый такой микроскоп был создан Максом Кноллем и Эрнстом Руска еще в 1931 году. В 1986 году за его изобретение была вручена Нобелевская премия по физике. Принцип работы такой же, как и у обычного оптического микроскопа. Только вместо света на интересующий объект направляется поток электронов, который фокусируется магнитными линзами. Если оптический микроскоп давал увеличение примерно в тысячу раз, то электронный уже в миллионы раз. Но у него есть и свои недостатки. Во-первых, это необходимость получить для работы достаточно тонкие образцы материалов.
Они должны быть прозрачны в электронном пучке, поэтому их толщина варьируется в пределах 20—200 нм. Во-вторых, это то, что образец под воздействием пучков электронов может разлагаться и приходить в негодность. Другим вариантом микроскопа, использующего поток электронов, является сканирующий электронный микроскоп. Он не просвечивает образец, как предыдущий, а сканирует его пучком электронов. Это позволяет изучать более «толстые» образцы. Обработка анализируемого образца электронным пучком порождает вторичные и обратноотраженные электроны, видимое катодолюминесценция и рентгеновское излучения, которые улавливаются специальными детекторами. На основании полученных данных и формируется представление об объекте. Первые сканирующие электронные микроскопы появились в начале 1960-х годов. Сканирующие зондовые микроскопы — относительно новый класс микроскопов, появившихся уже в 80-е годы. Уже упомянутая Нобелевская премия по физике 1986 года была разделена между изобретателем просвечивающего электронного микроскопа Эрнстом Руска и создателями сканирующего туннельного микроскопа Гердом Биннигом и Генрихом Рорером.
Сканирующие микроскопы позволяют скорее не рассмотреть, а «ощупать» рельеф поверхности образца. Полученные данные затем преобразуются в изображение. В отличие от сканирующего электронного микроскопа, зондовые используют для работы острую сканирующую иглу. Игла, острие которой имеет толщину всего несколько атомов, выступает в роли зонда, который подводится на минимальное расстояние к образцу — 0,1 нм. В ходе сканирования игла перемещается над поверхностью образца. Между иглой и поверхностью образца возникает туннельный ток, и его величина зависит от расстояния между ними. Изменения фиксируются, что позволяет на их основании построить карту высот — графическое изображение поверхности объекта. Похожий принцип работы использует и другой микроскоп из класса сканирующих зондовых микроскопов — атомно-силовой.
A micrometer is sometimes also referred to as a micron. Learn more about micrometers. What Is a Nanometer? The nanometer, or nanometre, is a multiple of the meter , which is the SI base unit for length. In the metric system, "nano" is the prefix for billionths, or 10-9. Nanometers can be abbreviated as nm; for example, 1 nanometer can be written as 1 nm.
Ещё один взгляд на «закон Мура»: особенно хорошо видно, как на фоне по-прежнему довольно уверенно растущего числа транзисторов с середины первого десятилетия 2000-х выходят на плато и рабочая тактовая частота, и потребляемая мощность ЦП, а количество приобретаемых на доллар транзисторов график на врезке и вовсе начало падать с 2014 года источник: ARTIS Ventures Увы, начиная со сравнительно недавних пор в свои права начала вступать физика: габариты отдельных транзисторов слишком опасно приблизились к пределу, отделяющему привычный нам макромир от области действия квантовых эффектов, которая подчиняется совсем иным законам. Примерно в 2012 году перестал расти важнейший для всей ИТ-отрасли экономический показатель — количество транзисторов в составе актуального на данный момент чипа , которые можно приобрести на один доллар, а ещё в начале 2000-х фактически на плато вышли предельно достижимые тактовые частоты процессоров и их теплопакеты под регулярной нагрузкой. Если принять размер передового в каждом поколении ЦП за постоянную величину, то удвоение числа транзисторов на этом чипе — допустим, их там равное количество по горизонтали и по вертикали — будет соответствовать уменьшению характерных размеров каждого из них примерно в 0,7 раза обратная величина к квадратному корню из двух. Самосбывающееся пророчество в действии: неумолимая поступь «закона Мура» подчиняется правилу 0,7 — по крайней мере должна подчиняться, чтобы снова и снова обеспечивать возобновление инвестиционного цикла источник: WikiChip Собственно, вот почему числовой ряд наименований технологических норм имеет в последние десятилетия именно такой вид : 90 нм — 65 нм — 45 нм — 32 нм — 22 нм — 15 нм… Сперва, где-то до конца 1990-х, производственные процессы в микроэлектронике действительно именовались в соответствии с физическими размерами минимального по габаритам полупроводникового элемента, который по этому процессу мог быть изготовлен. А именно — по протяжённости затвора gate полевого транзистора. Интересно, что в 1997 году Intel сознательно пошла на формальное увеличение декларируемого номинала техпроцесса по сравнению с реальными габаритами получаемых с его применением полупроводниковых устройств. Следующая производственная норма, «180 нм», также давала возможность получать транзисторы с меньшей длиной затвора — 0,13 мкм. Схема работы полевого транзистора. Слева: к затвору gate не приложено напряжение, поэтому исток source и сток drain изолированы; тока нет. Справа: под воздействием напряжения в полупроводнике возникает проводящий ток канал от истока к стоку источник: Georgia Institute of Technology Делалось это, разумеется, не из скромности, а ради того, чтобы «закон Мура» по-прежнему соблюдался без сучка, без задоринки, без отклонений — даже в сторону перевыполнения, — что лишний раз подчёркивает самосбывающийся характер этого технологического «пророчества». Вот, кстати, почему недавнее переименование формально «10-нм» техпроцесса Intel в «Intel 7», «7-нм» в «Intel 4» и так далее, о котором мы упоминали выше, имеет под собой вполне логичное обоснование: компания просто навёрстывает данную прежде своим соперникам фору, возвращаясь к общепринятым темпам смены производственных норм. Представительный совет экспертов по СБИС включавший представителей региональных ассоциаций полупроводниковой индустрии — японской, американской, европейской, тайваньской, южнокорейской и китайской материковой до 2015 года регулярно обновлял своего рода руководство — точнее, свод рекомендаций — по развитию полупроводниковой технологии, The International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS. В последнем издании этого свода явно указывается на чисто маркетинговый характер наименования технологических норм: в таблице с прогнозами по развитию логических СБИС до 2030 г. Выдержка из таблицы с прогнозами электрических характеристик грядущих процессоров, опубликованной в регулярном докладе ITRS за 2015 г. Физический смысл в таком определении прослеживается: для СБИС в целом важны не сами по себе габариты отдельных её элементов, а возможность уверенно разделять проводники дорожки и полупроводники транзисторы , чтобы те и другие исправно работали должным образом. Исходный смысл определения масштаба производственной нормы как половинной ширины зазора между соседними металлическими дорожками на самом нижнем уровне чипа перечёркнутые прямоугольники обозначают контакты, соединяющие данный слой с вышележащими прост и очевиден источник: WikiChip Однако уже начиная с техпроцесса 45 нм, внедрённого в 2007 году, с физическим смыслом пришлось распрощаться. Именно тогда инженеры Intel создали традиционный планарный транзистор с длиной затвора 25 нм — а дальше, как выяснилось, уменьшать этот габарит не представляется возможным. Если не переходить от кремния к другим полупроводникам, конечно, — но это означает коренную перестройку всей микропроцессорной индустрии, на что пока ни решимости, ни денег у крупных игроков определённо нет. Всё дело в физике: чтобы полупроводниковый прибор работал как должно, необходимо не допускать электрического пробоя его затвора в закрытом состоянии. По целой совокупности причин для основанного на кремнии даже с рядом улучшающих его свойства присадок полупроводника невозможно более, чем это было достигнуто в 45-нм техпроцессе, снижать рабочее напряжение, сокращать длину затвора и наращивать концентрацию примесей, препятствующих самопроизвольному прохождению заряда через канал пробою. В результате длина активного канала транзистор работает — правая картинка становится меньше физического расстояния между границами истока и стока из-за образования вокруг них зон, обеднённых depletion отрицательными зарядами, поскольку напряжение к затвору прикладывается положительное. Если расстояние от истока до стока слишком мало, зоны обеднения смыкаются — происходит пробой базы источник: LearningChips Если не вдаваться в электротехнические детали, то у полевых транзисторов, на которых основана вся современная кремниевая микроэлектроника, эффективная длина канала меньше, чем физическое расстояние между истоком и стоком заряда. То есть хотя канал изготовленного на фотолитографе транзистора действительно простирается на честные 25 нм, на деле при активации затвора электроны проходят значительно меньшее расстояние — в основном из-за диффузии примесей , формирующих исток и сток на поверхности кремниевой пластины, в толщу последней. Иными словами, после фактического достижения длины канала в 25 нм на этапе 45-нм техпроцесса номенклатура техпроцессов по ITRS перестала соответствовать половинной ширине зазора между контактными дорожками — и маркетинговое наименование последующей технологической нормы, начиная с «32 нм», получалось простым умножением предыдущего на 0,7 с округлением.
Поэтому микрометры - это фундамент для изучения объектов на наноуровне. Перспективы применения микрометров В будущем возможно создание устройств для точнейших измерений с разрешением в доли и сотые доли микрометра. Это позволит расширить наши знания о микромире и использовать их в нанотехнологиях. Применение микрометров в космических исследованиях Космические аппараты и телескопы должны иметь исключительно высокую точность изготовления оптики. Иначе невозможно получить четкие снимки далеких планет и звезд. Поэтому все детали для космических приборов проходят контроль размеров с точностью до долей микрометра. Это позволяет достичь нужного качества изображений. Благодаря точности в микрометры, удалось подтвердить предсказанное Эйнштейном искривление пространства вблизи больших масс. Так, в 2019 году было зафиксировано отклонение луча света на 1,7 мкм от звезды, пролетавшего рядом с поверхностью Солнца. Перспективы создания эталонов длины на основе атомов и молекул В будущем стандарты длины могут основываться на размерах отдельных атомов и молекул. Например, уже сейчас определены точные значения размеров атомов кремния и углерода с точностью до десятых долей нанометра. Это открывает путь к созданию универсальных эталонов длины на атомарном и молекулярном уровне с использованием нанотехнологий. Практическое применение микрометров в промышленности Высокоточные детали с допусками в микрометры необходимы для производства компьютеров, смартфонов, бытовой техники.