Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL. Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой. Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах.
Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза. Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров. В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт.
Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года.
Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании.
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
- Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел
Разработка и производство микроэлектроники
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
- Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
- Серверные модули памяти от MMY
- Релизы игр:
- Релизы игр:
Газета «Суть времени»
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Это значительно повышает скорость передачи данных. Новая технология позволит увеличить плотность записи и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения. Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется предположительно в 2012 году.
Что умеют программные роботы Специалисты из Тайваньского государственного педагогического университета и Университета Кюсю решили восполнить недостатки RRAM, скомбинировав ее с другой технологией, рассказывает New Atlas. В таком случае данные можно считывать по состоянию LED.
Это дополнительное оптическое считывание также открывает новые пути передачи большого объема информации». Раньше эти гибридные устройства сочетали в себе две различных системы, что усложняло их производство. Новая разработка обходится всего одним материалом — перовскитом.
Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты.
При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Статьи на тему: Оперативная память
— Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Рынок Модулей Памяти
Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
По сравнению с предыдущими разработками, новинка отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV Through-silicon via. Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных.
При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб.
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти.
Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов.
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ. Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц.