Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит.
NAND-память
Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2.
Статьи на тему: Оперативная память
Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Также они найдут применение при работе в системах виртуальной реальности и метавселенных, где необходимо обрабатывать большие объёмы данных в реальном времени.
Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта.
Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации. Размещая информацию и материалы, включая, фотографии и изображения, Пользователь также гарантирует, что обладает всеми правами и полномочиями, необходимыми для этого, с учетом условий настоящего Соглашения и что такое размещение не нарушает охраняемые законом права и интересы третьих лиц, международные договоры и действующее законодательство Российской Федерации. Пользователь самостоятельно несет ответственность за любую информацию и материалы, размещенные им на Сайте.
При размещении любой информации и материалов Пользователь не становится соавтором Сайта и отказывается от каких-либо претензий на такое авторство в будущем. Компания не выплачивает Пользователю авторского или любого иного вознаграждения, как в период, так и по истечении срока действия настоящего Соглашения. В случае предъявления третьими лицами претензий Компании, связанных с нарушением Пользователем условий настоящего Соглашения, а равно с размещенной Пользователем информацией на Сайте, указанный Пользователь обязуется самостоятельно урегулировать такие претензии, а также возместить Компании все понесенные убытки и потери, включая возмещение штрафов, судебных расходов, издержек и компенсаций. Компания не несет ответственности за посещение Пользователем, а также любое использование им внешних ресурсов сайтов третьих лиц , ссылки на которые могут содержаться на Сайте.
Компания не несет ответственности за точность, надежность, достоверность и безопасность любой информации, материалов, рекомендаций и сервисов, размещенных на внешних ресурсах. Использование внешних ресурсов осуществляется Пользователем добровольно, исключительно по собственному усмотрению и на свой риск. Пользователь согласен с тем, что Компания не несет ответственность и не имеет прямых или косвенных обязательств перед Пользователем в связи с любыми возможными или возникшими потерями, или убытками, связанными с любым содержанием Сайта, интеллектуальной собственностью, товарами или услугами, доступными на нем или полученными через внешние сайты или ресурсы либо иные ожидания Пользователя, которые возникли в связи с использованием размещенной на Сайте информации или ссылки на внешние ресурсы. Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери.
Ответ на: комментарий от greenman 27. Издание конечно авторитетное и вроде как немецкое, но вот эти интонации напоминают новую или медузу: А вот что реально удивляет, так это тот почти уже энтузиазм, с которым лично Ангела Меркель в разгар предвыборной борьбы взялась за продвижение именно российского госкапитала на немецкий рынок. Весьма показательной в этой связи была ее недавняя встреча с российским президентом Дмитрием Медведевым в Сочи. Там обсуждались возможные продажи: автостроителя Opel консорциуму с участием государственного Сбербанка, верфей Wadan инвесторам, за которыми вроде бы стоит государственный Газпром, и неплатежеспособного производителя микрочипов Qimonda близкой к государству АФК «Система».
Комментарии
- Другие новости
- Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | ВСЛУХ | Дзен
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
- Навигация по записям
- Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
Подписка на дайджест
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
- Похожие темы
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS | Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. |
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. |
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
| Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. |
| Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5 | Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. |
| NAND-память | Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. |
Статьи на тему: Оперативная память
На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Накопитель твердотельный SSD 2. Когда данные записываются на SSD, микропрограмма направляет данные в режим Hyper Cache, обеспечивая превосходную производительность для обработки различных сценариев промышленного использования.
Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года. В то же время там уверены, более активно на новый стандарт ОЗУ переходить начнут не ранее 2023—2024 годов. Автор: Марина Вебер.
Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании.
Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление. Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами.
Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
| Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ | Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). |
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. |
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ.