Инженеры разработали квантовую память, которая может обнаруживать ошибки, работает при относительно высоких температурах и обладает временем когерентности более 2 секунд. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время.
NAND-память
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6.
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Модуль памяти бортового самописца российского бомбардировщика Су-24М, сбитого турецким истребителем в небе над Сирией, имеет повреждения. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит 4 ГБ на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory , которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление.
Новая разработка обходится всего одним материалом — перовскитом. Этот кристалл обладает впечатляющими электрическими и оптическими свойствами и все чаще применяется в фотоэлементах и устройствах генерации энергии.
В данном случае перовскит состоит из бромида цезия и свинца CsPbBr3 и разделен на две части. Одна выступает как RRAM, вторая передает импульсы света, говорящие о том, были ли данные записаны или стерты, с помощью индикаторов разных цветов. Авторы изобретения рассчитывают найти применение новой технологии в шифровании данных.
Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется».
Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу. На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
К тому же, технология CAMM2 сама по себе ещё очень молодая и пока не зарекомендовала себя на рынке.
Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий. Материалы по теме.
Это позволяет серверу масштабироваться до десятков терабайт с одной пятой системной задержки по сравнению с модулем CXL предыдущего поколения. Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL. Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала. IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных.
На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует. Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей.
Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения. Про планы и перспективы Как сообщает CNews, поддержка оперативной памяти стандарта DDR5 будет реализована в новых серверных процессорах Intel на базе архитектуры Sapphire Rapids. Их выпуск планируется в 2021 году.
Ни при каких условиях, включая, но не ограничиваясь невнимательностью или небрежностью Пользователя, Компания не несет ответственности за любой ущерб прямой или косвенный, случайный или закономерный , включая, но не ограничиваясь потерей данных или прибылей, связанной с использованием или невозможностью использования Сайта, информации, файлов или материалов на нем, даже если Компания или ее представители были предупреждены о возможности такой потери.
В случае, если использование Сайта приведёт к необходимости дополнительного обслуживания, исправления или ремонта любого оборудования, а равно восстановления данных, все связанные с этим затраты оплачиваются Пользователем самостоятельно. Вся представленная на Сайте информация предоставляется «как есть», без каких-либо гарантий, явных или подразумеваемых. Компания полностью, в той мере, в какой это разрешено законом, отказывается от какой-либо ответственности, явной или подразумеваемой, включая, но не ограничиваясь неявными гарантиями пригодности к использованию, а также гарантиями законности любой информации, продукта или услуги, полученной или приобретенной с помощью этого Сайта. Пользователь согласен, что все материалы и сервисы Сайта или любая их часть могут сопровождаться рекламой.
Пользователь согласен с тем, что Компания не несет какой-либо ответственности и не имеет каких-либо обязательств в связи с такой рекламой. Условия обработки и использования персональных данных. Предоставление своих персональных данных, включающих имя, номера контактных телефонов; адреса электронной почты; место работы и занимаемая должность; пользовательские данные сведения о местоположении; тип и версия ОС; тип и версия Браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник откуда пришел на сайт пользователь; с какого сайта или по какой рекламе; язык ОС и Браузера; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; ip-адрес своей волей и в своем интересе. Цель обработки персональных данных: предоставление Пользователю услуг Сайта; направление уведомлений, касающихся услуг Сайта; подготовка и направление ответов на запросы Пользователя; выполнение регулярной информационной рассылки; направление информации о продуктах и услугах Компании, а также рекламно-информационных сообщений, касающихся продукции и услуг Компании и ее партнеров.
Перечень действий с персональными данными, на которые Пользователь выражает свое согласие: сбор, систематизация, накопление, хранение, уточнение обновление, изменение , использование, обезличивание, передача третьим лицам для указанных выше целей, а также осуществление любых иных действий, предусмотренных действующим законодательством РФ как неавтоматизированными, так и автоматизированными способами. Компания обязуется принимать все необходимые меры для защиты персональных данных Пользователя от неправомерного доступа или раскрытия. Настоящее согласие действует до момента его отзыва Пользователем путем направления соответствующего уведомления заказным письмо с уведомлением на адрес Компании. Прочие положения 5.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний. Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний. Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Нажимая на кнопку, я принимаю условия соглашения. Соглашение об использовании сайта Внимательно прочитайте настоящее Соглашение, прежде чем начать пользоваться Сайтом. Вы обязаны соблюдать условия настоящего Соглашения, заходя на Сайт и используя сервисы, предлагаемые на Сайте. В случае, если Вы не согласны с условиями Соглашения, Вы не можете пользоваться Сайтом или использовать любые сервисы, предлагаемые на Сайте, а также посещать страницы, размещенные в доменной зоне Сайта. Начало использования Сайта означает надлежащее заключение настоящего Соглашения и Ваше полное согласие со всеми его условиями. Термины и определения 1. Пользователь - лицо, получающее доступ к сервисам и информации, размещенным на Сайте. Соглашение - настоящее Соглашение между Пользователем и Компанией, устанавливающее правила использования Сайта, включая графические изображения, элементы дизайна и средства индивидуализации, текстовую информацию и документацию, программы для ЭВМ и файлы для скачивания, любые иные произведения, объекты и материалы Сайта, а также условия и правила размещения Пользователем информации и материалов в соответствующих открытых разделах Сайта.
Общие положения и условия 2. Любые материалы, файлы и сервисы, содержащиеся на Сайте, не могут быть воспроизведены в какой-либо форме, каким-либо способом, полностью или частично без предварительного письменного разрешения Компании, за исключением случаев, указанных в настоящем Соглашении. При воспроизведении Пользователем материалов Сайта ссылка на Сайт обязательна, при этом текст указанной ссылки не должен содержать ложную, вводящую в заблуждение, уничижительную или оскорбительную информацию. Перевод, переработка модификация , любое изменение материалов Сайта, а также любые иные действия, в том числе удаление, изменение малозаметной информации и сведений об авторских правах и правообладателях, не допускается. Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения.
Модулей с промежуточной ёмкостью не существует, вернее, не существовало до недавних пор.
Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т. Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить.
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Выпуск «цельных» 32-Гбит чипов DDR5 в одинаковом корпусе с 16-Гбит микросхемами снизит потребление и откроет путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти. Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года. Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт.